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促进纳米龙8国际最新官网生长的高温原位

激光辅助生长法:激光辅助催化生长法的生长原理与化学气相沉积法类似。即用Fe,Au等金属作催化剂,所要制备的材料粉末压缩为圆靶,将其放入石英管中,以惰性气体为保护气体,在相应位置采用衬底收集激发出来的原材料原子。在一定温度下用激光激发靶即可在衬底基片上沉积一维纳米材料[17]。在整个制备过程中,激光相当于材料蒸发源。该方法可以调控催化剂尺寸,可得到小尺寸的纳米材料,甚至几个纳米的材料。

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液相生长法:液-液-固法(SLS)固法(液固法)SLS法一般采用低熔点金属(In,Bi)作为催化剂,通过金属有机前躯体的分解来获得所需制备材料的组分。它的生长机理与VLS相类似,前生长前期的液态团簇来自溶液,而后者来自于蒸气。可采用该方法合成Si、GaAs等半导体纳米线,此法也可制得单晶结构的一维纳米材料。

气-固生长法:固生长法“气-固”生长机制是利用高温、化学反应等手段产生气相物质,经输运传至基片表面沉积下来,并生长形成一维纳米材料。这种机制不需要催化剂,但是对形核和一维纳米材料的生长过程要求比较高。决定其向一维方向生长的原因现在还不是很清楚,有可能是源自于晶体本身的各向异性,或螺型位错等晶体缺陷诱导的生长,或是一种自催化机制

水热法:水热法是以水为反应介质,在高温、高压反应气氛中,使得通常难容或不溶的物质溶解、重结晶,并生长成一维纳米结构。采用水热法制备出了一系列斓系氢氧化物纳米线,如:La(oH)3、P:(oH)3、Nd(oH)3、Sm(OH)等。此外采用此法亦可制备ZnO纳米线,Tio纳米线,甚至硅纳米管。水热法的反应条件温和、成本低、产物均匀等,但其所需的前驱体反应物相对复杂,而且产物容易污染不易提纯,结晶性不高。

氧化物辅助生长法:OAG生长模式不需要金属催化剂,生长过程中纳米线的端部由一种半固态的SixO(x>1)产物存在,并析出晶态Si和无定型的SiO2,SiO2析出在纳米线的外壳,从而限制了纳米线的横向生长,同时顶端的半固态氧化物不断吸附气相中的SiO气体并淀析出Si和SiO2,使纳米线不断生长。整个过程中居于纳米线端部的活性氧化物SixO(x>1)起到了促进一维纳米材料生长的作用

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